高純度六塩化ニケイ素

「高純度六塩化ニケイ素(HCD)」は、当社が世界で初めて工業化した半導体用成膜材料です。当社独自の技術で製造し、その高い品質安定性から世界でトップシェアを誇ります。

商品名

HCD

特長

「高純度六塩化ニケイ素(HCD)」は、高い反応性と保管安定性を兼ね備えており、Si(シリコン)プレカーサーとして低温成膜に利用できます。半導体用のSiO2膜やSiNx膜形成に適しており、最新世代の半導体微細配線形成に欠かせない材料となっています。

用途

「高純度六塩化ニケイ素(HCD)」をSi(シリコン)プレカーサーとし、各種CVD、ALD工程で酸素系又は窒素系物質と反応させて成膜することで高い精度のSiOx膜やSiNx膜、あるいはSiOxNy膜を得られます。

仕様

  • 品質
    金属ベース純度で >99.9999%の高純度品です。
  • 容器
    金属製各種シリンダーで提供しております。

お問い合わせ

担当部門
高純度無機化学品部
電話番号
03-3597-7403 ※9:00~17:00(土日祝日を除く)

資料ダウンロード

SDSには、物質の特定(構成成分)、環境影響情報 、物質/科学的性質や危険有害性など、安全な取り扱いのための情報が記載されています。
東亞合成では、当社の製品を、環境に配慮し安全に有効にお使いいただけるよう、SDS情報を簡単に参照できるシステムを用意しています。
ぜひ製品の研究開発、生産、各種資料の作成などにご活用ください。

※SDS:Safety Data Sheet 「安全データシート」
※SDS情報の内容は、予告なしで改変する場合があります。作成年月日をご確認の上、最新のものをお使いください。

関連情報

注目製品

最近見た製品

製品情報